די נידעריק טעמפּעראַטור פאַסע באַריום מעטאַבאָראַט (β-BaB₂O₄, BBO פֿאַר קורץ) קריסטאַל געהערט צו די טריפּאַרטיטע קריסטאַל סיסטעם, 3m פונט גרופּע. אין 1949, לעוויןעט על. דיסקאַווערד נידעריק-טעמפּעראַטור פאַסע באַריום מעטאַבאָראַטע באַב₂O₄ קאַמפּאַונד. אין 1968, בריקסנערעט על. געוויינט באַקל₂ ווי פלאַקס צו באַקומען טראַנספּעראַנט נאָדל-ווי איין קריסטאַל. אין 1969, Hubner געוויינט לי₂אָ ווי פלאַקס צו וואַקסן 0.5 מם × 0.5 מם × 0.5 מם און געמאסטן די גרונט דאַטן פון געדיכטקייַט, צעל פּאַראַמעטערס און פּלאַץ גרופּע. נאָך 1982, Fujian אינסטיטוט פון מאַטער סטראַקטשער, כינעזיש אַקאַדעמי פון ססיענסעס געניצט די מאָולטאַן-זאַלץ זוימען-קריסטאַל אופֿן צו וואַקסן גרויס איין קריסטאַל אין פלאַקס, און געפֿונען אַז BBO קריסטאַל איז אַ ויסגעצייכנט אַלטראַווייאַליט אָפטקייַט דאַבלינג מאַטעריאַל. פֿאַר עלעקטראָ-אָפּטיק ק-סוויטשינג אַפּלאַקיישאַן, BBO קריסטאַל האט אַ כיסאָרן פון נידעריק עלעקטראָ-אָפּטיק קאָואַפישאַנט וואָס פירט צו הויך האַלב-כוואַליע וואָולטידזש, אָבער עס האט בוילעט מייַלע פון ​​​​זייער הויך לאַזער שעדיקן שוועל.

די פודזשיאַן אינסטיטוט פון מאַטער סטראַקטשער, כינעזיש אַקאַדעמי פון ססיענסעס האט דורכגעקאָכט אַ סעריע פון ​​​​אַרבעט אויף דעם וווּקס פון BBO קריסטאַלז. אין 1985, אַ איין קריסטאַל מיט גרייס פון φ67 מם × 14 מם איז דערוואַקסן. די קריסטאַל גרייס ריטשט φ76 מם × 15 מם אין 1986 און φ120 מם × 23 מם אין 1988.

דער וווּקס פון קריסטאַלז אויבן אַלע אַדאַפּץ מאָולטאַן-זאַלץ זוימען-קריסטאַל אופֿן (אויך באקאנט ווי שפּיץ-זוימען-קריסטאַל אופֿן, פלאַקס-ליפטינג אופֿן, אאז"ו ו). די קריסטאַל וווּקס קורס אין דיc-אַקס ריכטונג איז פּאַמעלעך, און עס איז שווער צו באַקומען הויך-קוואַליטעט לאַנג קריסטאַל. דערצו, די עלעקטראָ-אָפּטיק קאָואַפישאַנט פון BBO קריסטאַל איז לעפיערעך קליין, און קורץ קריסטאַל מיטל העכער אַרבעט וואָולטידזש איז פארלאנגט. אין 1995, Goodnoעט על. געוויינט BBO ווי עלעקטראָ-אָפּטיק מאַטעריאַל פֿאַר עאָ ק-מאַדזשאַליישאַן פון Nd: YLF לאַזער. די גרייס פון דעם BBO קריסטאַל איז געווען 3 מם × 3 מם × 15 מם (x, y, z), און טראַנזווערס מאַדזשאַליישאַן איז אנגענומען. כאָטש די לענג-הייך פאַרהעלטעניש פון דעם BBO ריטשאַז 5: 1, די פערטל-כוואַליע וואָולטידזש איז נאָך אַרויף צו 4.6 קוו, וואָס איז וועגן 5 מאל פון די עאָ ק-מאַדזשאַליישאַן פון LN קריסטאַל אונטער די זעלבע באדינגונגען.

אין סדר צו רעדוצירן די אַפּערייטינג וואָולטידזש, BBO EO Q-switch ניצט צוויי אָדער דריי קריסטאַלז צוזאַמען, וואָס ינקריסאַז ינסערשאַן אָנווער און פּרייַז. ניקעלעט על. רידוסט די האַלב-כוואַליע וואָולטידזש פון BBO קריסטאַל דורך מאכן ליכט פאָרן דורך די קריסטאַל עטלעכע מאָל. ווי געוויזן אין די פיגור, די לאַזער שטראַל פּאַסיז דורך די קריסטאַל פֿאַר פיר מאל, און די פאַסע פאַרהאַלטן געפֿירט דורך די הויך אָפּשפּיגלונג שפּיגל געשטעלט בייַ 45 ° איז קאַמפּאַנסייטאַד דורך די כוואַליע טעלער געשטעלט אין די אָפּטיש דרך. דורך דעם וועג, די האַלב-כוואַליע וואָולטידזש פון דעם BBO Q- באַשטימען קען זיין ווי נידעריק ווי 3.6 קוו.

פיגורע 1. בבאָ עאָ ק-מאַדזשאַליישאַן מיט נידעריק האַלב-כוואַליע וואָולטידזש - WISOPTIC

אין 2011 פּערלאָוו עט על. געוויינט NaF ווי פלאַקס צו וואַקסן BBO קריסטאַל מיט אַ לענג פון 50 מם איןc-אַקס ריכטונג, און באקומען BBO עאָ מיטל מיט גרייס פון 5 מם × 5 מם × 40 מם, און מיט אָפּטיש יונאַפאָרמאַטי בעסער ווי 1 × 10⁻⁶ סענטימעטער^-1, וואָס טרעפן די רעקווירעמענץ פון עאָ ק-סוויטשינג אַפּלאַקיישאַנז. אָבער, דער וווּקס ציקל פון דעם אופֿן איז מער ווי 2 חדשים, און די פּרייַז איז נאָך הויך.

דערווייַל, די נידעריק עפעקטיוו עאָ קאָואַפישאַנט פון BBO קריסטאַל און די שוועריקייט פון גראָוינג BBO מיט גרויס גרייס און הויך קוואַליטעט נאָך באַגרענעצן BBO ס עאָ ק-סוויטשינג אַפּלאַקיישאַן. אָבער, רעכט צו דער הויך לאַזער שעדיקן שוועל און די פיייקייט צו אַרבעטן מיט הויך יבערכאַזערונג אָפטקייַט, BBO קריסטאַל איז נאָך אַ מין פון עאָ ק מאַדזשאַליישאַן מאַטעריאַל מיט וויכטיק ווערט און פּראַמאַסינג צוקונפֿט.

פיגורע 2. BBO EO Q-Switch מיט נידעריק האַלב-כוואַליע וואָולטידזש - געמאכט דורך WISOPTIC Technology Co., Ltd.