אין 1976, זומסטעג עט על. געוויינט אַ הידראָטהערמאַל אופֿן צו וואַקסן אַ רובידיום טיטאַניל פאָספאַטע (RbTiOPO₄, ריפערד צו ווי רטפּ) קריסטאַל. די רטפּ קריסטאַל איז אַן אָרטהאָמביק סיסטעם, mm2 פונט גרופּע, P_na21 פּלאַץ גרופּע, האט פולשטענדיק אַדוואַנטידזשיז פון גרויס עלעקטראָ-אָפּטיש קאָואַפישאַנט, הויך ליכט שעדיקן שוועל, נידעריק קאַנדאַקטיוואַטי, ברייט טראַנסמיסיע קייט, ניט-דעליקוועסאַנט, נידעריק ינסערשאַן אָנווער, און קענען ווערן גענוצט פֿאַר הויך יבערכאַזערונג אָפטקייַט אַרבעט (אַרויף צו 100) kHz), אאז"ו ו. און עס וועט זיין קיין גרוי מאַרקס אונטער שטאַרק לאַזער יריידייישאַן. אין די לעצטע יאָרן, עס איז געווארן אַ פאָלקס מאַטעריאַל פֿאַר פּריפּערינג עלעקטראָ-אָפּטיק ק-סוויטשיז, ספּעציעל פּאַסיק פֿאַר לאַזער סיסטעמען מיט הויך יבערכאַזערונג קורס..

די רוי מאַטעריאַלס פון RTP צעלייגנ זיך ווען זיי זענען צעלאָזן, און קענען ניט זיין דערוואַקסן דורך קאַנווענשאַנאַל צעלאָזן פּולינג מעטהאָדס. וסואַללי, פלאַקס זענען געניצט צו רעדוצירן די מעלטינג פונט. רעכט צו דער דערצו פון אַ גרויס סומע פון ​​פלאַקס אין די רוי מאַטעריאַלס, עס’עס איז זייער שווער צו וואַקסן RTP מיט גרויס גרייס און הויך קוואַליטעט. אין 1990, וואַנג דזשייאַנג און אנדערע געוויינט די זיך-דינסט פלאַקס אופֿן צו באַקומען אַ בלאַס, גאַנץ און מונדיר רטפּ איין קריסטאַל פון 15 mm×44 mm×34 מם, און געפירט אַ סיסטעמאַטיש לערנען אויף זייַן פאָרשטעלונג. אין 1992 אָסעלעדטשיקעט על. געוויינט אַ ענלעך זיך-דינסט פלאַקס אופֿן צו וואַקסן RTP קריסטאַלז מיט אַ גרייס פון 30 mm×40 mm×60 מם און הויך לאַזער שעדיקן שוועל. אין 2002, קאַנאַן עט על. געוויינט אַ קליין סומע פון ​​מאָאָ₃ (0.002 מאָל%) ווי די פלאַקס אין די שפּיץ זוימען אופֿן צו וואַקסן הויך-קוואַליטעט RTP קריסטאַלז מיט אַ גרייס פון וועגן 20 mm. אין 2010 ראָטה און צעיטלין געניצט [100] און [010] ריכטונג זאמען, ריספּעקטיוולי, צו וואַקסן גרויס-גרייס רטפּ ניצן שפּיץ-זוימען אופֿן.

קאַמפּערד מיט KTP קריסטאַלז וועמענס צוגרייטונג מעטהאָדס און עלעקטראָ-אָפּטיש פּראָפּערטיעס זענען ענלעך, די רעסיסטיוויטי פון RTP קריסטאַלז איז 2 צו 3 אָרדערס פון מאַגנאַטוד העכער (10)⁸ Ω·סענטימעטער), אַזוי RTP קריסטאַלז קענען זיין געוויינט ווי עאָ ק-סוויטשינג אַפּלאַקיישאַנז אָן עלעקטראָליטיק שעדיקן פּראָבלעמס. אין 2008 שאלדיןעט על. געוויינט די שפּיץ-זוימען אופֿן צו וואַקסן אַ איין פעלד RTP קריסטאַל מיט רעסיסטיוויטי פון וועגן 0.5×10¹² Ω·סענטימעטער, וואָס איז זייער וווילטויק פֿאַר עאָ ק-סוויטשיז מיט אַ גרעסערע קלאָר עפענונג. אין 2015 Zhou Haitaoעט על. געמאלדן אַז רטפּ קריסטאַלז מיט אַ אַקס לענג גרעסער ווי 20 מם זענען דערוואַקסן דורך הידראָטהערמאַל אופֿן, און די רעסיסטיוויטי איז געווען 10¹¹~10¹² Ω·סענטימעטער. זינט די RTP קריסטאַל איז אַ בייאַקסיאַל קריסטאַל, עס איז אַנדערש פון LN קריסטאַל און DKDP קריסטאַל ווען געוויינט ווי אַן עאָ ק סוויטש. איין RTP אין די פּאָר מוזן זיין ראָוטייטיד 90°אין דער ריכטונג פון ליכט צו פאַרגיטיקן פֿאַר די נאַטירלעך ביירעפרינגענסע. דער פּלאַן ניט בלויז ריקווייערז הויך אָפּטיש יונאַפאָרמאַטי פון די קריסטאַל זיך, אָבער אויך ריקווייערז די לענג פון די צוויי קריסטאַלז צו זיין ווי נאָענט ווי מעגלעך, צו קריגן אַ העכער יקסטינגשאַן פאַרהעלטעניש פון די ק- באַשטימען.

ווי אַ ויסגעצייכנט עאָ ק-סוויטשing מאַטעריאַל מיט הויך-ריפּעטיטיאָן אָפטקייַט, רטפּ קריסטאַלs אונטערטעניק צו די באַגרענעצונג פון גרייס וואָס איז ניט מעגלעך פֿאַר גרויס קלאָר עפענונג (די מאַקסימום עפענונג פון געשעפט פּראָדוקטן איז בלויז 6 מם). דעריבער, דער צוגרייטונג פון רטפּ קריסטאַלז מיט גרויס גרייס און הויך קוואַליטעט ווי געזונט ווי די וואָס ריכטן זיך טעכניק פון RTP פּערז נאָך דאַרפֿן גרויס סומע פון פאָרשונג אַרבעט.